湖北臺基半導體股份有限公司 臺基股份 TECHSEM
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        湖北臺基半導體股份有限公司位于襄樊市襄城南郊,峴山北麓,內資股份制企業。臺基公司是湖北省09年13家上市重點后備企業、湖北省100家優秀納稅企業、省重合同守信用單位,湖北省著名商標和精品名牌企業。公司注冊資本4420萬元,主營TECHSEM牌晶閘管及其模塊的研發、制造和銷售,是中國功率半導體器件的主要制造商之一,綜合實力位居國內功率半導體行業前三強。產品廣泛應用于金屬熔煉、工業加熱、電機調速、軟啟動、發配電等領域,以品種齊全、質量可靠、服務誠信享譽和暢銷全國,并銷往歐美、韓國、臺灣及東南亞等國家和地區。
        臺基公司人才齊全,產能優勢突出,F在職員工510人,其中享受國務院津貼專家1名,工程碩士8人,高級工程師12人,技術研發人員32人。公司是國家電力電子行業協會副理事長單位、湖北省高新技術企業,擁有省級企業技術中心。公司一直專注于大功率晶閘管及模塊的研發、制造、銷售及相關服務。目前,公司已形成年產80萬只大功率晶閘管及模塊的生產能力,是我國銷量領先的大功率半導體器件供應商。經過持續的技術引進和自主研發,公司已經掌握大功率晶閘管的核心技術。目前,公司正在研制具有國際級技術水平的6500V全壓接大功率晶閘管、焊接式模塊的制造技術以及IGBT的封裝技術,技術水平位于國內同行前列。
       公司建立了遍及全國的銷售網絡,在國內擁有約850家直營客戶(整機設備制造商),其中75家大客戶為電力電子應用領域的龍頭和骨干企業;同時還擁有49家特約經銷商,5家一般經銷商,觸角延伸至全國各地,銷售渠道在同業中具有明顯的比較優勢。報告期內,公司主導產品在國內連續保持年銷售數量領先,銷售收入前三位,其中在感應加熱應用領域的市場占有率超過50%,保持全國前列。綜合實力長期位居國內大功率半導體行業前三強。
        公司是國內大功率半導體器件領域為數不多的掌握前道(擴散)技術、中道(芯片制成)技術、后道(封裝測試)技術并掌握大功率半導體器件設計、制造核心技術并形成規;a的企業。公司現擁有5項專利,8項專利申請權(其中2項發明專利申請權),22項非專利技術。公司主要技術人員累計參與起草了11項國家或行業標準。公司以技術中心總協調、以技術開發部為依托開展研發,并與華中科技大學聯合設立儀華電力電子技術研究所(非法人機構);公司先后承擔了國家發改委、科技部、商務部的國家級重點火炬計劃項目等多項重點項目。
        公司2005年12月通過ISO9001:2000質量體系認證;2006年初公司產品通過了SGS通標公司的ROHS檢測;2007年12月,公司產品通過了CE認證,并錄入了鐵道部《機車重要件定點驗收目錄》; 2009年7月,公司通過了ISO9001:2008質量體系認證。公司2004年起一直被評為高新技術企業。
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      晶閘管、二極管主要參數及其含義  
    [2009-4-1]    字號:[][][]
     
    IEC標準中用來表征晶閘管、二極管性能、特點的參數有數十項,但用戶經常用到的有十項左右,本文就晶閘管、二極管的主要參數做一簡單介紹。
    1.正向平均電流IF(AV)( 整流管)
    通態平均電流IT(AV)( 晶閘管)
    是指在規定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC 時,允許流過器件的最大正弦半波電流平均值。此時,器件的結溫已達到其最高允許溫度Tjm。臺基公司產品手冊中均給出了相應通態電流對應的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC值,用戶使用中應根據實際通態電流和散熱條件來選擇合適型號的器件。
    2.正向方均根電流IF(RMS( 整流管)
    通態方均根電流IT(RMS( 晶閘管)
    是指在規定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC 時,允許流過器件的最大有效電流值。用戶在使用中,須保證在任何條件下,流過器件的電流有效值不超過對應殼溫下的方均根電流值。
    3.浪涌電流IFSM(整流管)、ITSM(晶閘管)
         表示工作在異常情況下,器件能承受的瞬時最大過載電流值。用10ms底寬正弦半波峰值表示,臺基公司在產品手冊中給出的浪涌電流值是在器件處于最高允許結溫下,施加80% VRRM條件下的測試值。器件在壽命期內能承受浪涌電流的次數是有限的,用戶在使用中應盡量避免出現過載現象。
    4.斷態不重復峰值電壓VDSM
    反向不重復峰值電壓VRSM
         指晶閘管或整流二極管處于阻斷狀態時能承受的最大轉折電壓,一般用單脈沖測試防止器件損壞。用戶在測試或使用中,應禁止給器件施加該電壓值,以免損壞器件。
    5.斷態重復峰值電壓VDRM
    反向重復峰值電壓VRRM
         是指器件處于阻斷狀態時,斷態和反向所能承受的最大重復峰值電壓。一般取器件不重復電壓的90%標注(高壓器件取不重復電壓減100V標注)。用戶在使用中須保證在任何情況下,均不應讓器件承受的實際電壓超過其斷態和反向重復峰值電壓。
    6.斷態重復峰值(漏)電流IDRM
    反向重復峰值(漏)電流IRRM
          為晶閘管在阻斷狀態下,承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時,流過元件的正反向峰值漏電流。該參數在器件允許工作的最高結溫Tjm下測出。
    7.通態峰值電壓VTM(晶閘管)
    正向峰值電壓VFM(整流管)
    指器件通過規定正向峰值電流IFM(整流管)或通態峰值電流ITM(晶閘管)時的峰值電壓,也稱峰值壓降。該參數直接反映了器件的通態損耗特性,影響著器件的通態電流額定能力。
    器件在不同電流值下的的通態(正向)峰值電壓可近似用門檻電壓和斜率電阻來表示:
    VTM=VTO+rT*ITM     VFM=VFO+rF*IFM
    臺基公司在產品手冊中給出了各型號器件的最大通態(正向)峰值電壓及門檻電壓和斜率電阻,用戶需要時,可以提供該器件的實測門檻電壓和斜率電阻值。
    8.電路換向關斷時間tq(晶閘管)
         在規定條件下,在晶閘管正向主電流下降過零后,從過零點到元件能承受規定的重加電壓而不至導通的最小時間間隔。晶閘管的關斷時間值決定于測試條件,臺基公司對所制造的快速、高頻晶閘管均提供了每只器件的關斷時間實測值,在未作特別說明時,其對應的測試條件如下:
    l         通態峰值電流ITM等于器件ITAV;
    l         通態電流下降率di/dt=-20A/μs;
    l         重加電壓上升率dv/dt=30A/μs;
    l         反向電壓VR=50V;
    l         結溫Tj=115°C。
    如果用戶需要在某一特定應用條件下的關斷時間測試值,可以向我們提出要求。
    9.通態電流臨界上升率di/dt(晶閘管)
          是指晶閘管從阻斷狀態轉換到導通狀態時,晶閘管所能承受的通態電流上升率最大值。器件所能承受的通態電流臨界上升率di/dt受門極觸發條件影響很大,因此我們建議用戶應用中采用強觸發方式,觸發脈沖電流幅值:IG≥10IGT;脈沖上升時間:tr≤1μs。
    10.斷態電壓臨界上升率dv/dt
    在規定條件下,不會導致晶閘管從斷態轉換到通態所允許的最大正向電壓上升速度。臺基公司產品手冊中給出了所有品種晶閘管的最小dv/dt值,當用戶對dv/dt有特殊要求時,可在訂貨時提出。
    11門極觸發電壓 VGT
    門極觸發電流IGT
           在規定條件下,能使晶閘管由斷態轉入通態所需的最小門極電壓和門極電流。晶閘管開通過程中的開通時間、開通損耗等動態性能受施加在其門極上的觸發信號強弱影響很大。如果在應用中采用較臨界的IGT去觸發晶閘管,將不能讓晶閘管得到良好的開通特性,某些情況下甚至會引起器件提前失效或損壞。因此我們建議用戶應用中采用強觸發方式,觸發脈沖電流幅值:IG≥10IGT;脈沖上升時間:tr≤1μs。為了保證器件可靠工作,IG必須遠大于IGT。
    12.結殼熱阻Rjc
          指器件在規定條件下,器件由結至殼流過單位功耗所產生的溫升。結殼熱阻反映了器件的散熱能力,該參數也直接影響著器件的通態額定性能。臺基公司產品手冊中對平板式器件給出了雙面冷卻下的穩態熱阻值,對半導體功率模塊,給出了單面散熱時的熱阻值。用戶須注意,平板式器件的結殼熱阻直接受安裝條件的影響,只有按手冊中推薦的安裝力安裝,才能保證器件的結殼熱阻值滿足要求。
     
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